塑料薄膜金屬鍍層電導率電阻率測試儀用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距塑料薄膜金屬鍍層電導率電阻率測試儀計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關。.定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影

響測試結果，

甲醇、99.5%，干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會影響測試結果，

R(TD-R_xF式中:

計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).

試劑優(yōu)級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計算出對應的電阻率并修正到23℃，具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置

的時間應足夠長，到達熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向為正向，調節(jié)電流大小見表1

所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測試數(shù)據(jù)

至少應取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。

操作步驟及流程

3.1.本機可以依據(jù)不同測試產品選擇配置不同的測試治具，以下舉例操作說明

3.1.1.在開機界面按下按鍵板上的“顯示"鍵，進入測量界面。如圖1

3.1.2 如圖2，在液晶顯示屏右側有4個藍色功能按鍵，當測材料電阻率時，請選擇 “材料"按鍵 ，進入材料測試主界面.  

3.1.3.在該界面下通過按下按鍵板上的上下左右鍵，可以移動藍色光標選擇相應的參數(shù)。如圖2，將移動到某一參數(shù)的位置，按下“設置"鍵，光標將變?yōu)樯钏{色。此時通過上下左右鍵和數(shù)字鍵可以對相應的參數(shù)進行設置，設置完畢后按“確定"鍵返回。