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雙電四探針電阻測(cè)試儀更新時(shí)間：2024-07-17型號(hào)：BEST-300C廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家瀏覽量：1175雙電四探針電阻測(cè)試儀符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
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四探針低阻率檢測(cè)儀更新時(shí)間：2024-07-17型號(hào)：BEST-300C廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家瀏覽量：1155四探針低阻率檢測(cè)儀可以測(cè)試到1uΩ方阻值，采用芯片控制，恒流輸出，液晶顯示，自動(dòng)數(shù)據(jù)測(cè)量，系數(shù)補(bǔ)償，參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量.提供中文或英文語(yǔ)言版本.
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四探針電阻測(cè)定儀更新時(shí)間：2024-07-16型號(hào)：BEST-300C廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家瀏覽量：1369四探針電阻測(cè)定儀硅片電阻率測(cè)量的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》. GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā稧B/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?
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方阻計(jì) 四探針測(cè)試儀更新時(shí)間：2024-07-16型號(hào)：BEST-300C廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家瀏覽量：1384方阻計(jì) 四探針測(cè)試儀適用范圍： 四探針?lè)y(cè)試的 導(dǎo)電性新材料、鋁箔、銅箔等具有類似性質(zhì)要求測(cè)量的材料.
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四探針低電阻率測(cè)試儀更新時(shí)間：2024-07-16型號(hào)：BEST-300C廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家瀏覽量：1221四探針低電阻率測(cè)試儀比較-電流計(jì)——計(jì)算電阻或電導(dǎo)的*百分比誤差是指Rs,電流計(jì)偏移或放大器讀數(shù)的百分比誤差總和,同時(shí)假設(shè)電流靈敏度與偏移無(wú)關(guān)。對(duì)于新式電流計(jì)(直流電流放大器可能發(fā)生1/3刻度偏移),后者的假設(shè)精度到±2%有用范圍之內(nèi)(在1/10滿刻度偏移之上)。Rs的誤差取決于采用的電阻器類型,但是1MΩ電阻的誤差極限低至0.1%是適用的。對(duì)于滿刻度偏移,采用靈敏度為10nA的電流計(jì)或直流電流放
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